STD25N10F7

STD25N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其100V的漏源电压（V_DSS）和25A的连续漏极电流（I_D）额定值，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与低开关损耗的平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至35mΩ，有效降低了通态功耗。同时，最大14nC的低栅极电荷（Q_G）有利于实现高速开关并简化驱动设计。这些特性使其在同步整流、电机驱动及各类开关电源中，能够显著提升系统效率和功率密度。

• 型号:STD25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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