STD25NF10LT4

STD25NF10LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（V_DSS）和25A（T_C）的连续漏极电流额定值，为设计提供了坚实的功率处理基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至35毫欧（最大值），能显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g）和栅极阈值电压（V_GS(th)）确保了快速、高效的开关动作，并兼容低电压驱动逻辑。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及功率转换系统效率的关键元件。

• 型号:STD25NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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