STD2LN60K3技术参数详情：
STD2LN60K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK封装，设计用于表面贴装应用，核心优势在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的开关特性之间的出色平衡。
其技术参数表明，该MOSFET在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值较小，这共同确保了较低的导通损耗与开关损耗，提升了整体能效。额定2A的连续漏极电流（Id）和高达150°C的结温（TJ）使其能够在紧凑的空间内处理可观的功率，适用于对效率和可靠性有较高要求的开关电源设计。
- 型号:STD2LN60K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 600V 2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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