STD2N95K5技术参数详情：
STD2N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括950V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。器件具备较低的导通电阻（5Ω @1A, 10V）和极小的栅极电荷（10nC @10V），这共同确保了低传导损耗与高开关效率。高达45W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应 demanding 的应用环境。
综上所述，STD2N95K5凭借其高耐压、低损耗和快速开关特性，为离线式电源转换提供了高效可靠的解决方案。
- 型号:STD2N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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