STD2NM60T4

STD2NM60T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装型DPAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），为高压、低功率应用提供了坚固的电气基础。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了较低的导通电阻（典型值3.2欧姆 @ 1A, 10V）和栅极电荷（最大值8.4nC @ 10V），这直接转化为更低的传导损耗与开关损耗，有助于提升整体能效。此外，高达150°C的结温工作范围和46W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STD2NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:46W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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