STD30N6LF6AG技术参数详情：
STD30N6LF6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET F6系列。该器件采用DPAK封装，关键电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Tc=25°C），具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、12A Id条件下，导通电阻最大值仅为25毫欧。同时，较低的栅极电荷（26nC @ 10V）确保了快速的开关性能，有助于提升系统效率并降低开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够可靠地工作在严苛的汽车电子环境中。
- 型号:STD30N6LF6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD30N6LF6AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
