STD30NE06L技术参数详情：
STD30NE06L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气规格为60V漏源电压和30A连续漏极电流，专为中高功率开关应用而优化。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V Vgs条件下，导通电阻低至28毫欧（@15A），有效降低了导通压降与热损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为41nC，有助于降低驱动需求并提升开关频率，从而优化整体电源转换效率。器件最高结温为175°C，热性能可靠。
- 型号:STD30NE06L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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