STD30NE06LT4技术参数详情：
STD30NE06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为60V漏源电压和30A连续漏极电流，具备处理中等功率等级的能力。
其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻低至28毫欧（@15A），能显著降低传导损耗。同时，41nC（@5V）的较低栅极电荷有助于实现高效的开关性能，减少驱动损耗。器件支持标准逻辑电平驱动，最高结温达175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与设计灵活性。
- 型号:STD30NE06LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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