STD30NF04LT

STD30NF04LT是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，核心优势在于其优异的导通与开关效率平衡。

其关键电气参数定义了其应用定位：40V的漏源电压（V_DSS）和30A（T_C）的连续漏极电流额定值，使其适用于中低压、大电流的功率路径管理。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）低至30毫欧（@15A），能显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大25nC @10V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）进一步保障了其在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STD30NF04LT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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