STD30NF06T4技术参数详情：
STD30NF06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术制造，封装形式为DPAK。该器件核心优势在于其优异的导通性能与开关特性平衡，其漏源电压（Vdss）为60V，在壳温25°C下连续漏极电流（Id）额定值达28A。
在10V栅极驱动、15A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为28毫欧，有效降低了通态损耗。同时，其总栅极电荷（Qg）最大值控制在58nC，有利于实现高效的开关操作并降低驱动需求。这些参数使其成为要求高效率与可靠性的功率开关应用的理想选择。
- 型号:STD30NF06T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD30NF06T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
