STD30PF03LT4技术参数详情：
STD30PF03LT4是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为30V漏源电压（Vdss）与24A连续漏极电流（Id），旨在提供高效的低压功率控制解决方案。
其关键技术优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为28毫欧，配合最大28nC的栅极电荷，实现了低传导损耗与快速开关特性的良好平衡。高达175°C的工作结温确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性，使其适用于对效率和空间均有要求的紧凑型电源设计。
- 型号:STD30PF03LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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