STD3N80K5

STD3N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压额定值与优异的动态开关性能的平衡。其低至3.5欧姆的导通电阻（@1A, 10V）和仅9.5nC的栅极电荷，共同确保了低传导损耗和高频开关下的高效率。

此外，该器件在25°C管壳温度下可支持2.5A的连续漏极电流，最大功耗为60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了强大的功率处理能力和宽温工作可靠性。这些特性使其成为工业电源、LED驱动及各类离线功率转换应用中高压侧开关的理想选择。

• 型号:STD3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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