STD3NK50Z-1技术参数详情：
STD3NK50Z-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心特性包括500V的漏源电压(Vdss)和2.3A的连续漏极电流(Id)，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的开关性能上，在10V驱动电压下，最大导通电阻(Rds(on))仅为3.3欧姆，同时栅极电荷(Qg)低至15nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有效降低了导通损耗和开关损耗，提升了电源系统的整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定运行。
- 型号:STD3NK50Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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