STD3NK60ZT4技术参数详情：
STD3NK60ZT4是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）额定值与经过优化的低导通电阻特性，这为高压开关应用提供了高效的功率处理能力，有助于降低系统传导损耗。
该器件在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现快速的开关切换并减少开关损耗，提升整体能效。其设计支持2.4A的连续漏极电流（Tc）和45W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的电源转换与电机控制方案。
- 型号:STD3NK60ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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