STD3NK80ZT4技术参数详情：
STD3NK80ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH技术，专为高压高效应用而设计。其核心特性在于提供了800V的漏源电压（Vdss）额定值，同时保持了较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于在开关电源等应用中显著降低导通损耗。
该器件在10V栅极驱动下，可支持2.5A的连续漏极电流，并具备低栅极电荷和优化的电容特性，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。其采用DPAK表面贴装封装，最大功耗70W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计高可靠性、高功率密度的电源解决方案提供了坚实的基础。
- 型号:STD3NK80ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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