STD3NM60T4技术参数详情：
STD3NM60T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，核心参数针对中功率应用进行了优化。
其关键特性包括高达600V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的耐压和电流处理能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现优异，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有利于实现高效的开关性能，减少开关损耗，提升系统整体效率。
- 型号:STD3NM60T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD3NM60T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
