STD3PK50Z技术参数详情：
STD3PK50Z是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和2.8A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过SuperMESH工艺实现了导通电阻与栅极电荷的良好平衡，在10V驱动下导通电阻典型值仅为4欧姆，同时最大栅极电荷控制在20nC。这种特性使其在保证高耐压可靠性的同时，兼具较低的传导损耗和较快的开关速度，有利于提升系统整体能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也确保了其在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STD3PK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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