STD40NF3LLT4

STD40NF3LLT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温25°C时可持续处理高达40A的漏极电流。

其核心电气特性表现为优异的导通性能与开关效率。在10V Vgs驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值低至11毫欧（@20A），能显著降低功率传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为33nC（@4.5V），结合较低的栅极阈值电压，确保了快速、高效的开关动作，有助于提升电源转换系统的整体能效。该器件设计工作温度范围宽广（-55°C ~ 175°C TJ），适用于要求高可靠性的功率开关应用。

• 型号:STD40NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD40NF3LLT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。