STD44N4LF6

STD44N4LF6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术制造。该器件额定漏源电压（V_DSS）为40V，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达44A，最大功率耗散为50W。

其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为12.5毫欧（@20A），同时栅极总电荷（Q_G）最大值控制在22nC（@10V）。这种特性组合显著降低了传导与开关损耗，提升了电源转换效率。器件采用表面贴装DPAK封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高可靠性要求的应用。

• 型号:STD44N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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