STD4N80K5技术参数详情：
STD4N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于800V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻（2.5欧姆 @ 10V, 1.5A）相结合，为高压开关应用提供了出色的耐压能力和较低的传导损耗。
该器件同时具备低栅极电荷（10.5nC @ 10V）和低输入电容，这显著降低了开关损耗，并允许使用更简单的驱动电路，从而实现高效率的快速开关操作。其3A的连续漏极电流能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在各类电源转换和电机控制辅助电源等应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STD4N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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