STD4NK50Z-1技术参数详情：
STD4NK50Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SuperMESH技术，封装形式为I-PAK。该器件核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态性能平衡，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为2.7Ω，同时栅极电荷（Qg）低至12nC，这有助于降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。
- 制造商产品型号：STD4NK50Z-1
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：SuperMESH
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
- 现在可以订购STD4NK50Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
