STD50N03L-1

STD50N03L-1是ST意法半导体基于STripFET III技术制造的N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V V_GS、20A条件下，R_DS(on)最大值仅为10.5mΩ，同时Qg最大值低至14nC (@5V)，这共同确保了出色的导通效率与快速的开关性能。

该器件设计用于30V、40A（T_C）的中低压大电流场景，栅极驱动兼容5V/10V逻辑电平，便于直接驱动。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和60W（T_C）的功率耗散能力，使其能够胜任对热管理和可靠性有要求的严苛应用环境。

• 型号:STD50N03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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