STD5N52U

STD5N52U是STMicroelectronics UltraFASTmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心特性在于其525V的高漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通性能与开关性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.5Ω，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg（max）=16.9nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，功率耗散达70W，具备高可靠性。

• 型号:STD5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5N52U，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。