STD5N60M2技术参数详情：
STD5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和3.5A连续漏极电流（Id），专为高效功率转换而设计。
其技术优势体现在优化的动态与静态特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率并允许更高频率的操作。高达150°C的结温额定值和45W的功率耗散能力，为其在紧凑空间内的稳定、可靠运行提供了保障。
- 型号:STD5N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:211 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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