STD5N62K3

STD5N62K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（V_DSS）与低至1.6Ω的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于先进的SuperMESH3技术，有效降低了导通损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下，栅极电荷（Q_g）典型值仅为26nC，有助于实现快速的开关速度和降低驱动损耗。该器件额定连续漏极电流为4.2A（T_C=25°C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和高可靠性。

• 型号:STD5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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