STD5NK40ZT4技术参数详情：
STD5NK40ZT4是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET。该器件核心规格为400V漏源电压（Vdss）与3A连续漏极电流（Id），采用表面贴装DPAK封装，适用于空间受限的紧凑型设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.8欧姆，有效降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）低至17nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源效率和功率密度的关键元件。
器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行，主要面向AC-DC电源转换、LED驱动及各类需要高效功率开关的工业与消费电子应用。
- 型号:STD5NK40ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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