STD5NK60ZT4技术参数详情：
STD5NK60ZT4是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与1.6欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这使其在高压应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。
其电气特性针对开关电源应用进行了优化，在10V驱动电压下，栅极电荷（Qg）典型值仅为34nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用DPAK表面贴装封装，在25°C壳温下可支持5A的连续漏极电流和90W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境下的可靠运行。
- 型号:STD5NK60ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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