STD5NM50AG

STD5NM50AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为500V漏源电压（V_DSS）和7.5A连续漏极电流（I_D），专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡。它具备较低的导通电阻（R_DS(on)），有助于减少导通损耗；同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）也保持在较低水平，这有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同作用，使其在要求严苛的开关电源拓扑中能够显著提升整体能效和功率密度。

• 型号:STD5NM50AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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