STD5NM50T4技术参数详情：
STD5NM50T4是意法半导体推出的一款采用MDmesh技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键电气参数表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下最大仅为800毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大13nC）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。这些特性使其成为离线式电源转换和电机控制等高效能设计的理想选择。
- 型号:STD5NM50T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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