STD60N55F3

STD60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为55V漏源电压（Vdss）与高达80A（Tc）的连续漏极电流，专为处理大电流开关任务而设计。

其技术优势主要体现在极低的功率损耗上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为8.5毫欧（@32A），能显著降低导通状态下的传导损耗。同时，最大45nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其在需要高效率的功率转换应用中表现出色。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适用于工业电源、电机驱动及DC-DC转换器等领域的同步整流和主开关拓扑。

• 型号:STD60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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