STD60NH03LT4技术参数详情：
STD60NH03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其针对低压大电流应用优化的电气参数组合。
其关键规格包括30V的漏源电压和高达60A的连续漏极电流承载能力。最突出的性能亮点是极低的导通电阻，在10V Vgs、30A Id条件下最大值仅为9毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极驱动特性优异，阈值电压低至1V（最大值），栅极电荷小（5V驱动下最大21nC），确保了快速开关和易于驱动的特性，非常适合高频开关电源和电机控制应用。
- 型号:STD60NH03LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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