STD64N4F6AG

STD64N4F6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET F6技术的产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其优异的能效表现，在40V漏源电压和高达54A连续电流能力下，实现了极低的导通电阻（最大8.2mΩ @10V）与优化的开关特性（栅极电荷最大44nC），有效降低了传导与开关损耗。

其设计兼顾了高性能与高可靠性，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为60W，确保了在严苛的汽车及工业环境下的稳定运行。这些特性使其成为汽车电机驱动、负载开关、DC-DC转换以及各类高效电源管理应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STD64N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD64N4F6AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。