STD6N60M2技术参数详情：
STD6N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，提供了600V的漏源电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高效率的功率开关应用而设计。
其关键优势在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至8nC，这共同实现了更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效和开关频率。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类电源设计中的可靠性和稳定性。
- 型号:STD6N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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