STD6N95K5

STD6N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值，结合优化的技术实现了低导通电阻（典型1.25Ω @ 10V, 3A）与低栅极电荷（典型13nC @ 10V），这共同确保了在高电压开关应用中兼具出色的电气隔离能力和高效的开关性能。

其参数设计针对高可靠性应用，在壳温条件下支持9A的连续漏极电流和90W的最大功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为适用于工业级开关电源、PFC电路及LED驱动等高压、高效率功率转换场景的可靠解决方案。

• 型号:STD6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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