STD6NF10T4

STD6NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心参数针对高效功率开关应用进行了优化。

其关键电气规格包括100V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。突出的性能亮点在于其低导通特性，在10V Vgs、3A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）极低，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC。这一组合显著降低了导通与开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件支持-65°C至175°C的宽结温范围，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STD6NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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