STD7ANM60N技术参数详情：
STD7ANM60N是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用符合AEC-Q101标准的汽车级MDmesh II技术制造。其核心优势在于600V的高漏源电压（Vdss）与5A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅14nC的栅极电荷（Qg），实现了优异的开关效率与热性能平衡。
该器件采用DPAK表面贴装封装，最大功率耗散为45W，工作结温高达150°C，确保了在高温、高功率密度环境下的可靠运行。这些特性使其成为汽车电子、工业电源及电机驱动等高效能、高可靠性功率转换应用的理想选择。
- 型号:STD7ANM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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