STD7NK30Z技术参数详情：
STD7NK30Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其300V的漏源电压(Vdss)耐受能力与5A的连续漏极电流(Id)承载能力的紧密结合，为中等功率应用提供了可靠的开关基础。
其技术亮点包括在10V驱动下较低的导通电阻（最大值900mΩ @ 2.5A）以及优化的动态参数，如最大13nC的栅极电荷(Qg)和380pF的输入电容(Ciss)，这共同确保了较低的导通损耗与快速的开关响应。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗50W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高鲁棒性的工业环境。
- 型号:STD7NK30Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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