STD7NM80-1技术参数详情：
STD7NM80-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）与6.5A连续漏极电流（Id），采用通孔I-PAK封装，专为要求高耐压与可靠性的应用而设计。
其技术亮点在于较低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg），这有助于提升开关电源的效率并简化驱动设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其参数组合，包括150°C的最大结温（Tj）和90W的功率耗散能力，使其在工业电源、电机控制等中高压功率开关领域曾是一个经过验证的解决方案。
- 型号:STD7NM80-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 现在可以订购STD7NM80-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
