STD80N3LL

STD80N3LL是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为5.2毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）低至18nC @ 4.5V，配合较低的栅极阈值电压，确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，适用于高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为75W，提供了良好的热可靠性和环境适应性，是各类低压、大电流功率转换和电机驱动方案的可靠选择。

• 型号:STD80N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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