STD845DN40技术参数详情：
STD845DN40是ST意法半导体生产的一款高压、大电流双NPN晶体管阵列，封装形式为8引脚DIP。该器件集成了两个独立的晶体管单元，每个单元均具备400V的集射极击穿电压和4A的最大集电极电流处理能力，专为承受严苛的电气环境而设计。
其技术参数的核心优势在于强大的功率处理与高效的导通特性。在1A和4A的测试条件下，其最大饱和压降仅为500mV，这有助于显著降低导通损耗。同时，器件支持最高150°C的结温工作，最大功耗为3W，确保了在持续高负载下的可靠性。这些特性使其成为离线式电源、电机驱动及工业控制应用中高压开关和线性放大电路的理想选择。
- 型号:STD845DN40
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-DIP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 2NPN DUAL 400V 4A 8-DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:12 @ 2A，5V
- 功率 - 最大值:3W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-DIP
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