STD86N3LH5

STD86N3LH5是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，采用STripFET V技术。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够提供高达80A（T_C）的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为5mΩ @ 10V，显著降低了功率损耗。

其优化的动态特性，包括最大14nC的低栅极电荷（Q_g @ 5V）和快速的开关性能，使其非常适用于高频开关场景。器件采用DPAK封装，最大结温为175°C，确保了在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性和稳定性。

• 型号:STD86N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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