STD8NF25技术参数详情：
STD8NF25是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心电气参数针对高效开关应用进行了优化，具备250V的漏源电压（Vdss）和8A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键卖点在于其优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为420毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至16nC，这共同确保了较低的导通损耗和快速的开关切换，有助于提升整体系统的能效与功率密度。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD8NF25
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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