STD8NM60ND

STD8NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装型DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与7A连续漏极电流（Id），专为高效功率开关应用而设计。

其技术优势体现在FDmesh II平台带来的低损耗特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为700毫欧，同时栅极总电荷（Qg）低至22nC。这种低Rds(on)与低Qg的优化组合，能够显著降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件最高结温为150°C，确保了在高温环境下的稳定工作能力。

• 型号:STD8NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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