STD95N2LH5技术参数详情：
STD95N2LH5是ST意法半导体基于STripFET V技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗，其25V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流使其能够胜任大电流开关任务。
其关键技术参数定义了高性能表现：在10V Vgs和40A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.5毫欧，显著降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大13.4nC @ 5V）和较低的栅极阈值电压确保了快速、高效的开关性能。这些特性共同使其成为高效率DC-DC转换、同步整流和电机驱动等应用的优选功率开关器件。
- 型号:STD95N2LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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