STD95N3LLH6技术参数详情：
STD95N3LLH6是意法半导体推出的一款采用DPAK封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于STripFET VI与DeepGATE技术，在30V的漏源电压下，能够提供高达80A的连续漏极电流，并实现极低的导通电阻（典型值4.2mΩ @ 10V, 40A），有效降低了功率传导损耗。
其设计兼顾了开关性能，栅极电荷（Qg）低至20nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关电源拓扑。该MOSFET支持高达175°C的结温工作，具备良好的热可靠性，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动和负载管理等大电流应用场景。
- 型号:STD95N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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