STD96N3LLH6技术参数详情：
STD96N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺。该器件在30V的漏源电压（Vdss）下，具备高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为4.2毫欧（@40A, 10V），能显著降低传导损耗。
其开关性能同样优异，最大栅极电荷（Qg）低至20nC，有助于实现高效率和高频开关操作。器件采用表面贴装型DPAK封装，最大结温为175°C，功率耗散达70W（Tc），确保了在高功率密度应用中的热可靠性和稳定性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效电源转换等应用的理想选择。
- 型号:STD96N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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