STD9N60M2

STD9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括600V的漏源电压和5.5A的连续漏极电流，为高压中等电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，导通电阻低至780毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷(10nC)确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正和各类功率转换拓扑中主开关或同步整流功能的理想选择。

• 型号:STD9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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