STD9NM40N

STD9NM40N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于400V的漏源电压（V_DSS）额定值与低至790毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻（R_DS(on)）相结合，有效降低了导通损耗。

器件在壳温条件下支持5.6A的连续漏极电流和60W的功率耗散。其开关特性通过低栅极电荷（Q_g典型值14nC @10V）和适中的输入电容得以优化，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升整体系统效率。该MOSFET采用DPAK表面贴装封装，最高结温为150°C，为各类电源转换和电机控制应用提供了坚固可靠的解决方案。

• 型号:STD9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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