STD9NM50N-1

STD9NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）与低至560毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于先进的垂直沟槽技术，能有效降低传导损耗，提升电源转换效率。

其额定连续漏极电流（Id）为5A，并支持10V标准驱动电压以实现完全导通。器件具备低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现更快的开关速度和降低驱动损耗。采用I-PAK通孔封装，提供良好的功率处理能力和散热特性，适用于对可靠性和效率有较高要求的工业级电源设计。

• 型号:STD9NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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