STDLED625H技术参数详情：
STDLED625H是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心特性包括620V的高漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)处理能力，适用于需要高耐压开关的应用。
其技术参数表现出良好的开关效率，在10V驱动电压下，最大导通电阻(Rds(on))低至2欧姆（@1.9A），有助于降低导通损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)为23nC，有利于实现快速的开关切换并控制开关损耗。器件结温最高可支持150°C，确保了在高温环境下的工作可靠性。
- 型号:STDLED625H
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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